ROHM Semiconductor UMH7NTR
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UMH7NTR
2078-UMH7NTR
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
1最小包装量--
UMH7NTR详情
ROHM Semiconductor UMH7NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
DIGITAL
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
30mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
转换频率
250MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
4.7k Ω
连续集电极电流
100mA
VCEsat-最大值
0.3 V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
UMH7NTR拓展信息








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