ROHM Semiconductor UMX3NTR

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

供应商器件包装

UMT6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

50V

最大功率耗散

150mW

额定电流

150mA

基本部件号

*MX3

极性

NPN

元素配置

Dual

功率耗散

150mW

功率 - 最大

150mW

增益带宽积

180MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

最高频率

100MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

180MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

连续集电极电流

150mA

高度

900μm

长度

2mm

宽度

1.25mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅