ROHM Semiconductor US6T9TR

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

2

hFEMin

270

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

最大功率耗散

1W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

功率 - 最大

400mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

320MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 25mA, 500mA

转换频率

320MHz

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

连续集电极电流

-1A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅