ROHM Semiconductor VT6T1T2R

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

20V

转换频率

350MHz

频率转换

350MHz

最大耗散功率(Abs)

0.15W

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅