K4B2G0846D-HCH9详情
Samsung K4B2G0846D-HCH9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
78
Package Description
FBGA, BGA78,9X13,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA78,9X13,32
Access Time-Max
0.255 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4B2G0846D-HCH9
Clock Frequency-Max (fCLK)
667 MHz
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.79
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B78
资历状况
不合格
电源
1.5 V
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.135 mA
组织结构
256MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.012 A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
8
K4B2G0846D-HCH9拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung Semiconductor
Samsung








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