K4B2G0846D-HCH9
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Samsung K4B2G0846D-HCH9

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型号

K4B2G0846D-HCH9

品牌

Samsung

utmel 编号

2107-K4B2G0846D-HCH9

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78

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K4B2G0846D-HCH9
K4B2G0846D-HCH9 Samsung DDR DRAM, 256MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78

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K4B2G0846D-HCH9详情

Samsung K4B2G0846D-HCH9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    78

  • Package Description

    FBGA, BGA78,9X13,32

  • Package Style

    GRID ARRAY, FINE PITCH

  • Number of Words Code

    256000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA78,9X13,32

  • Access Time-Max

    0.255 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    K4B2G0846D-HCH9

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    667 MHz

  • Number of Words

    268435456 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.5 V

  • Package Code

    FBGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    三星半导体

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.79

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B78

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    1.5 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电流-最大值

    0.135 mA

  • 组织结构

    256MX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.012 A

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    8192

  • 顺序突发长度

    8

  • 交错突发长度

    8

0个相似型号

K4B2G0846D-HCH9拓展信息

K4S281632O-LI75T00
K4S281632O-LI75T00

Samsung Semiconductor

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