Samsung K4H561638H-UCB3

表面安装

YES

终端数量

66

RoHS

Compliant

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

16000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

0.7 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4H561638H-UCB3

Clock Frequency-Max (fCLK)

166 MHz

Number of Words

16777216 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.3 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.79

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn97Bi3)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.635 mm

Reach合规守则

unknown

频率

166 MHz

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

不合格

电源

2.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.33 mA

组织结构

16MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.003 A

记忆密度

268435456 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

无铅

无铅