Samsung K4S561632J-UC75

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

54

终端数量

54

制造商包装标识符

TSOP(II)54

RoHS

Compliant

Memory Types

SDRAM

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

2

Number of Words Code

16000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP54,.46,32

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

5.4 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4S561632J-UC75

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Number of Words

16777216 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.65

包装

卷带

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn97Bi3)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

频率

133 MHz

JESD-30代码

R-PDSO-G54

资历状况

不合格

工作电源电压

3.3 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

界面

Parallel

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

内存大小

32 MB

电源电流

110 mA

电源电流-最大值

0.12 mA

访问时间

7.5 ns

组织结构

16MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

地址总线宽度

15 b

密度

256 Mb

待机电流-最大值

0.002 A

记忆密度

268435456 bit

最高频率

133 MHz

I/O类型

COMMON

内存IC类型

同步剧

刷新周期

8192

顺序突发长度

1,2,4,8,FP

交错突发长度

1,2,4,8

高度

1.2 mm

无铅

无铅