Samsung Semiconductor IRF9130
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IRF9130详情
Samsung Semiconductor IRF9130重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Drain Current-Max (ID)
11 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
Reach合规守则
unknown
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
P-CHANNEL
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
75 W
IRF9130拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung Electronics Co. Ltd
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
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