Samsung Semiconductor IRFM224A

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Package Code

TO-261AA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Drain Current-Max (ID)

0.92 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-261AA

漏极-源极导通最大电阻

1.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

7 A

DS 击穿电压-最小值

250 V

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5 W