Samsung Semiconductor IRFR420A

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Drain Current-Max (ID)

2.3 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

206 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

41 W