Samsung Semiconductor SSP1N60A

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Package Code

TO-220AB

Package Description

TO-220, 3 PIN

Drain Current-Max (ID)

1 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

12 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

3 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

雪崩能量等级（Eas）

44 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

34 W