注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
价格梯度
内地含税价
1
¥20.979501
10
¥19.791981
100
¥18.671681
500
¥17.614794
1000
¥16.617727
型号
FKV575
品牌
Sanken
utmel 编号
2116-FKV575
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
TO-220-3 Full Pack
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
MOSFET N-CH 50V 75A TO-220F
起订量
--最小包装量--
¥
总价: ¥
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FKV575详情
技术参数
PDF文档
型号对比
Sanken FKV575重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
包装/外壳
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
75A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
Power Dissipation (Max)
40W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 250μA
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2008
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10m Ω @ 37A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3200pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
75A
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.01Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
DS 击穿电压-最小值
雪崩能量等级(Eas)
300 mJ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
技术文档: Sanken FKV575.
右边的3个型号有着和Sanken & FKV575相似的参数规格。
Through Hole
75 A
75A (Ta)
40W (Tc)
Infineon Technologies
TO-220-3
-
80 A
80A (Tc)
215W (Tc)
190W (Tc)
40V
300W (Tc)
STMicroelectronics
210W (Tc)
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FKV575拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:GKI03039
封装:8-PowerTDFN
品牌:Sanken
¥14.494805
型号:DKI06186
封装:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存:0
型号:FKP252
封装:TO-220-3 Full Pack
库存:176
型号:EKI06075
封装:TO-220-3
型号:DKI03082
¥9.636917
型号:2SK3003
库存:79999
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