STMicroelectronics NAND512R3A2AZB6E
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NAND512R3A2AZB6E
2381-NAND512R3A2AZB6E
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Description: 64MX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-55
1最小包装量--
NAND512R3A2AZB6E详情
STMicroelectronics NAND512R3A2AZB6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
55
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
BGA
Package Description
TFBGA, BGA55,8X12,32
Access Time-Max
35 ns
Number of Words
67108864 words
Number of Words Code
64000000
Operating Temperature-Max
85 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TFBGA
Package Equivalence Code
BGA55,8X12,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
ECCN 代码
EAR99
类型
SLC NAND类型
HTS代码
8542.32.00.51
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
55
JESD-30代码
R-PBGA-B55
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
64MX8
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
536870912 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
1.8 V
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
4K
行业规模
16K
页面尺寸
512 words
准备就绪/忙碌
YES
长度
10 mm
宽度
8 mm
NAND512R3A2AZB6E拓展信息
STMicroelectronics
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SGS Thomson
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