注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥140.462535
10
¥132.511828
100
¥125.01116
500
¥117.935057
1000
¥111.259484
STMicroelectronics PD55015TR-E
- 收藏
- 对比
PD55015TR-E
2381-PD55015TR-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
大陆
立即发货

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PD55015TR-E详情
STMicroelectronics PD55015TR-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
引脚数
3
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
165°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
73W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
5A
频率
500MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PD55015
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
73W
箱体转运
SOURCE
测试电流
150mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
40V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
增益
14dB
最大输出功率
15W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
40V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
12.5V
最小击穿电压
40V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PD55015TR-E拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics









哦! 它是空的。