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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥222.712095
10
¥210.105752
100
¥198.212972
500
¥186.993369
1000
¥176.408836
STMicroelectronics PD55025TR-E
- 收藏
- 对比
PD55025TR-E
2381-PD55025TR-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
大陆
立即发货

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PD55025TR-E详情
STMicroelectronics PD55025TR-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
引脚数
3
Number of Elements
1
Voltage Rated
40V
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
79W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
7A
频率
500MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
PD55025
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
200mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
增益
14.5dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
DS 击穿电压-最小值
40V
功率 - 输出
25W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
12.5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PD55025TR-E拓展信息
STMicroelectronics
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