STMicroelectronics PD85025C
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PD85025C
2381-PD85025C
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
M243
大陆
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Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin Case M-243 Box
1最小包装量--
PD85025C详情
STMicroelectronics PD85025C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
52 Weeks
底架
Screw
包装/外壳
M243
引脚数
243
Number of Elements
1
包装
Bulk
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
93W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
7A
频率
945MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
PD85025
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
93W
箱体转运
SOURCE
测试电流
300mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
40V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
7A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
增益
17.5dB
最大输出功率
30W
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7A
漏源击穿电压
40V
功率 - 输出
10W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
13.6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PD85025C拓展信息
STMicroelectronics
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