STMicroelectronics PD85035STR1-E
- 收藏
- 对比
PD85035STR1-E
2381-PD85035STR1-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
--
大陆
立即发货

RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
--最小包装量--
PD85035STR1-E详情
STMicroelectronics PD85035STR1-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
25 Weeks
供应商器件包装
PowerSO-10RF (Straight Lead)
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
150°C
最大功率耗散
95W
额定电流
8A
频率
870MHz
基本部件号
PD85035
元素配置
Single
功率耗散
95W
测试电流
350mA
漏源电压 (Vdss)
40V
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
8A
栅极至源极电压(Vgs)
15V
增益
17dB
漏源击穿电压
40V
功率 - 输出
15W
电压-测试
13.6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PD85035STR1-E拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics








哦! 它是空的。