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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 PD85035STR1-E
PD85035STR1-E
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STMicroelectronics PD85035STR1-E

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型号

PD85035STR1-E

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-PD85035STR1-E

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic

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PD85035STR1-E
PD85035STR1-E STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic

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PD85035STR1-E详情

技术参数

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STMicroelectronics PD85035STR1-E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    25 Weeks

  • 供应商器件包装

    PowerSO-10RF (Straight Lead)

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最大功率耗散

    95W

  • 额定电流

    8A

  • 频率

    870MHz

  • 基本部件号

    PD85035

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    95W

  • 测试电流

    350mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 连续放电电流(ID)

    8A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    15V

  • 增益

    17dB

  • 漏源击穿电压

    40V

  • 功率 - 输出

    15W

  • 电压-测试

    13.6V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: STMicroelectronics PD85035STR1-E.

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公司资质

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AS
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