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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 RF3L05200CB4
RF3L05200CB4
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STMicroelectronics RF3L05200CB4

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型号

RF3L05200CB4

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-RF3L05200CB4

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

LBB-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF MOSFET Transistors 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHzComplete Your Design

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RF3L05200CB4
RF3L05200CB4 STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 200 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHzComplete Your Design

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技术参数

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STMicroelectronics RF3L05200CB4重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    LBB-3

  • 安装类型

    底座安装

  • 供应商器件包装

    LBB

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    -

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    100

  • Mounting Styles

    通孔

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    28 V

  • Id - Continuous Drain Current

    -

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • RoHS

    Details

  • Package

    Bulk

  • Base Product Number

    RF3L05200

  • 厂商

    STMicroelectronics

  • Product Status

    活跃

  • Voltage Rated

    90 V

  • 包装

    Reel

  • 系列

    -

  • 类型

    射频功率MOSFET

  • 额定电流

    1µA

  • 频率

    1GHz

  • 工作频率

    945 MHz

  • 配置

    -

  • 通道数量

    1 Channel

  • 输出功率

    200 W

  • 晶体管类型

    LDMOS FET

  • 增益

    16 dB

  • 功率 - 输出

    200W

  • 噪声图

    -

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技术文档: STMicroelectronics RF3L05200CB4.

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公司资质

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AS
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