STB20NM50FD-1
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STMicroelectronics STB20NM50FD-1

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型号

STB20NM50FD-1

utmel 编号

2381-STB20NM50FD-1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

20A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, TABLESS TO-220, I2PAK-3

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STB20NM50FD-1
STB20NM50FD-1 STMicroelectronics 20A, 500V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, TABLESS TO-220, I2PAK-3

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STB20NM50FD-1详情

STMicroelectronics STB20NM50FD-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Part Package Code

    TO-262AA

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Drain Current-Max (ID)

    20 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-262AA

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.25 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    80 A

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    700 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    192 W

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技术文档: STMicroelectronics STB20NM50FD-1.

STB20NM50FD-1拓展信息

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