STP4NC50
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STMicroelectronics STP4NC50

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型号

STP4NC50

utmel 编号

2381-STP4NC50

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: 3.5A, 500V, 2.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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STP4NC50 STMicroelectronics Description: 3.5A, 500V, 2.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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STP4NC50详情

STMicroelectronics STP4NC50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    STMICROELECTRONICS

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Drain Current-Max (ID)

    3.5 A

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2.7 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    14 A

  • DS 击穿电压-最小值

    500 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    210 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    80 W

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技术文档: STMicroelectronics STP4NC50.

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