STMicroelectronics STD3NB30T4
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STD3NB30T4
2381-STD3NB30T4
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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3.2A, 300V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3
1最小包装量--
STD3NB30T4详情
STMicroelectronics STD3NB30T4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Part Package Code
TO-252AA
Package Description
DPAK-3
Drain Current-Max (ID)
3.2 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
2 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12.8 A
DS 击穿电压-最小值
300 V
雪崩能量等级(Eas)
190 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
STD3NB30T4拓展信息
Thomson-CSF Compsants Specific
STMicroelectronics
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