STMicroelectronics STH33N20FI
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STH33N20FI
2381-STH33N20FI
晶体管 - 特殊用途
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Description: 20A, 200V, 0.085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
1最小包装量--
STH33N20FI详情
STMicroelectronics STH33N20FI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
STMICROELECTRONICS
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)
20 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-on Time-Max (ton)
215 ns
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-218
漏极-源极导通最大电阻
0.085 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
132 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
150 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
70 W
反馈上限-最大值 (Crss)
300 pF
环境耗散-最大值
70 W
STH33N20FI拓展信息
Thomson-CSF Compsants Specific
STMicroelectronics
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