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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 ULN2002A
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STMicroelectronics ULN2002A

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型号

ULN2002A

品牌

STMicroelectronics

utmel 编号

2381-ULN2002A

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

16-DIP (0.300, 7.62mm)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

STMICROELECTRONICS ULN2002A Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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ULN2002A
ULN2002A STMicroelectronics STMICROELECTRONICS ULN2002A Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

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ULN2002A详情

技术参数

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型号对比

STMicroelectronics ULN2002A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    15 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 底架

    通孔

  • 触点镀层

    Gold

  • 包装/外壳

    16-DIP (0.300, 7.62mm)

  • 引脚数

    16

  • 质量

    1.627801g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    7

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.1V

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tube

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    16

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 电压 - 额定直流

    50V

  • 端子位置

    DUAL

  • 额定电流

    500mA

  • 基本部件号

    ULN2002

  • 引脚数量

    16

  • 输出电压

    50V

  • 极性

    NPN

  • 配置

    COMPLEX

  • 通道数量

    7

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    7 NPN Darlington

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    500mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    1000 @ 350mA 2V

  • 最大集极截止电流

    50μA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1.6V @ 500μA, 350mA

  • VCEsat-最大值

    1.6 V

  • 宽度

    7.1mm

  • 长度

    20mm

  • 高度

    4.59mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: STMicroelectronics ULN2002A.

右边的3个型号有着和STMicroelectronics & ULN2002A相似的参数规格。

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
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