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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TSM2N7000CT
TSM2N7000CT
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Taiwan Semiconductor TSM2N7000CT

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型号

TSM2N7000CT

品牌

Taiwan Semiconductor

utmel 编号

2436-TSM2N7000CT

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor

起订量

1最小包装量--

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TSM2N7000CT
TSM2N7000CT Taiwan Semiconductor Transistor

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TSM2N7000CT详情

技术参数

Taiwan Semiconductor TSM2N7000CT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 引脚数

    3

  • RoHS

    Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    350 mW

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    350 mW

  • 上升时间

    10 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60 V

  • 连续放电电流(ID)

    200 mA

  • 阈值电压

    3 V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏源击穿电压

    60 V

  • 漏源电阻

    5.3 Ω

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TSM2N7000CT拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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