Texas Instruments MMBF5485

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Gross weight

3.85

Transport packaging size/quantity

39*31*30/1000

Noal current

1 (3) Amin

Body diameter

17.5 mm

Mounting hole size

Ф12 mm

Switching scheme

OFF- (ON) (2P)

Plunger shape/color

round / black

Protection class

IP40

Number of switching cycles (electrical)

10000 min

Dielectric strength

1000 (50 Hz / 1 min.) V

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

PBS-32 Series Pushbutton Switch

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

深度

21.6 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

Contact resistance

20 mΩ max

配置

SINGLE

Insulation resistance

100 (500 V, 1 min.) min

操作模式

DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

Operating temperature range

-25…+85 °C

JEDEC-95代码

TO-236AB

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

反馈上限-最大值 (Crss)

1 pF

最高频段

超高频段

功率增益-最小值(Gp)

10 dB