Toshiba 2SA2120-O(Q)

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200 V

RoHS

Compliant

Package Description

,

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SA2120O(Q)

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

5.61

包装

Bulk

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

200 W

Reach合规守则

unknown

极性

PNP

配置

Single

元素配置

Single

增益带宽积

25 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

200 V

最大集电极电流

12 A

转换频率

25 MHz

集电极基极电压(VCBO)

200 V

最大耗散功率(Abs)

200 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

12 A

最小直流增益（hFE）

80

辐射硬化

无

无铅

无铅