Toshiba 2SC2712-GR(TE85L,F

包装/外壳

2-3F1A

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SMini

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

60(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 150C

Collector Current (DC)

0.15(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Collector-Emitter Voltage

50(V)

DC Current Gain

70@2MA@6V

Mounting

表面贴装

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

150 mW

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

70

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

80 MHz

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

Maximum DC Collector Current

150 mA

DC Current Gain hFE Max

700

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

80 MHz

Manufacturer Part Number

2SC2712-GR(TE85L,F

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

Bipolar Transistors - BJT 150mA 50V

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

7.78

包装

卷带

系列

2SC2712

附加功能

低噪音

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

80(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

Single

功率耗散

0.15(W)

输出功率

Not Required(W)

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.15 W

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

200

连续集电极电流

150 mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

1.5 mm

高度

1.1 mm

长度

2.9 mm