Toshiba HN1A01FU-GR(L,F,T)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

Number of Elements per Chip

2

Dimensions

2 x 1.25 x 0.9mm

Package Type

SOT-363 (SC-88)

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Maximum DC Collector Current

150 mA

Maximum Operating Frequency

80 MHz

Minimum DC Current Gain

120

Collector-Emitter Saturation Voltage

-100 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

120

Number of Elements

2

RoHS

Compliant

Package Description

,

Manufacturer Part Number

HN1A01FU-GR,LF(T

Manufacturer

东芝美国电子元器件

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Toshiba HN1A01FU-GR,LF(T Dual PNP Transistor, -150 mA, -50 V, 6-Pin SOT-363

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Risk Rank

1.62

包装

Tape & Reel (TR)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

200 mW

Reach合规守则

unknown

频率

80 MHz

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

200 mW

增益带宽积

80 MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300 mV

最大集电极电流

150 mA

转换频率

80 MHz

最大击穿电压

50 V

集电极基极电压(VCBO)

-50 V

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

辐射硬化

无