MG8G6EM1详情
Toshiba MG8G6EM1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
15
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
MG8G6EM1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TOSHIBA CORP
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-D15
Risk Rank
5.81
Drain Current-Max (ID)
8 A
Number of Elements
6
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
RoHS
Non-Compliant
端子位置
UPPER
终端形式
SOLDER LUG
Reach合规守则
unknown
引脚数量
15
JESD-30代码
R-PUFM-D15
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.75 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
16 A
DS 击穿电压-最小值
450 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MG8G6EM1拓展信息
Toshiba
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