Toshiba RN1118MFV(TPL3)

底架

表面贴装

引脚数

3

Emitter- Base Voltage VEBO

25 V

Typical Resistor Ratio

4.7

Pd - Power Dissipation

150 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50

Typical Input Resistor

47 kOhms

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8000

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

50

系列

RN1118MFV

包装

MouseReel

类型

NPN Epitaxial Silicon Transistor

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

150 mW

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

150 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

工作温度范围

- 65 C to + 150 C

转换频率

250 MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

25 V

连续集电极电流

100 mA

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased

宽度

0.5 mm

高度

1.2 mm

长度

1.2 mm

辐射硬化

无