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1

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10

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100

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500

￥1.453271
1000

￥1.371014

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF

Name: 2SC3324GRTE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-2SC3324GRTE85LF
Price: 1.73 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SC3324GRTE85LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-2SC3324GRTE85LF

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R

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2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R

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2SC3324GRTE85LF详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3324GRTE85LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

11 Weeks
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型

表面贴装
底架

表面贴装
引脚数

3
hFEMin

200
Power Dissipation (Max)

150mW
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V
已出版

2009
包装

Cut Tape (CT)
操作温度

125°C TJ
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
元素配置

Single
功率 - 最大

150mW
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

120V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 6V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA
最大击穿电压

120V
集电极基极电压(VCBO)

120V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
RoHS状态

符合RoHS标准
辐射硬化

无
无铅

无铅

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