Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793(F,M)

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220NIS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

230V

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

230V

最大功率耗散

2W

额定电流

1A

频率

100MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

2W

功率 - 最大

2W

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

230V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

230V

最高频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

230V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅