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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 2SC4793(F,M)
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Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793(F,M)

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型号

2SC4793(F,M)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-2SC4793(F,M)

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor GP BJT NPN 230V 1A 3-Pin (3 Tab) TO-220(NIS)

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2SC4793(F,M)
2SC4793(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage Transistor GP BJT NPN 230V 1A 3-Pin (3 Tab) TO-220(NIS)

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技术参数

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型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793(F,M)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220NIS

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    230V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    1A

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    100

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2004

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    230V

  • 最大功率耗散

    2W

  • 额定电流

    1A

  • 频率

    100MHz

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    2W

  • 功率 - 最大

    2W

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    230V

  • 最大集电极电流

    1A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    100 @ 100mA 5V

  • 最大集极截止电流

    1μA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    1.5V @ 50mA, 500mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    230V

  • 最高频率

    100MHz

  • 频率转换

    100MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    230V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5V

  • 连续集电极电流

    1A

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793(F,M).

右边的3个型号有着和Toshiba Semiconductor and Storage & 2SC4793(F,M)相似的参数规格。

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