Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ380(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

35W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

功率耗散

35W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

210m Ω @ 6A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1100pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

-2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

双电源电压

-100V

隔离电压

2kV

栅源电压

-2 V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅