Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2719(F)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

1998

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

功率耗散

125W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.3 Ω @ 1.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

750pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

900V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

30 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅