STMicroelectronics STP5NK100Z
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STP5NK100Z
2381-STP5NK100Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
--最小包装量--
STP5NK100Z详情
STMicroelectronics STP5NK100Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Turn Off Delay Time
51.5 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH3™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
3.7Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
1kV
额定电流
3.5A
基本部件号
STP5N
元素配置
Single
功率耗散
125W
接通延迟时间
22.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.7Ohm @ 1.75A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1154pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 10V
上升时间
7.7ns
漏源电压 (Vdss)
1000V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
阈值电压
3.75V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
1kV
输入电容
1.154nF
漏源电阻
3.7Ohm
最大rds
3.7 Ω
高度
9.15mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STP5NK100Z拓展信息
STMicroelectronics
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