Toshiba Semiconductor and Storage RN1110,LF(CT
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RN1110,LF(CT
2541-RN1110,LF(CT
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-75, SOT-416
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TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
1最小包装量--
RN1110,LF(CT详情
Toshiba Semiconductor and Storage RN1110,LF(CT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
供应商器件包装
SSM
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
100mW
功率 - 最大
100mW
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
4.7 kOhms
RoHS状态
符合RoHS标准
RN1110,LF(CT拓展信息
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Toshiba
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