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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 RN1111MFV,L3F
RN1111MFV,L3F
RN1111MFV,L3F

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Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV,L3F

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型号

RN1111MFV,L3F

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1111MFV,L3F

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SOT-723

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor

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RN1111MFV,L3F
RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor

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技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV,L3F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-723

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    120 @ 1mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 250μA, 5mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 电阻基(R1)

    10 k Ω

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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公司资质

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