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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3)

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Toshiba Semiconductor and Storage RN1113ACT(TPL3)

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型号

RN1113ACT(TPL3)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1113ACT(TPL3)

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SC-101, SOT-883

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

起订量

--最小包装量--

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RN1113ACT(TPL3)
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

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RN1113ACT(TPL3)详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN1113ACT(TPL3)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-101, SOT-883

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    100mW

  • Reach合规守则

    unknown

  • 功率 - 最大

    100mW

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    150mV

  • 最大集电极电流

    80mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    120 @ 1mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    150mV @ 250μA, 5mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 电阻基(R1)

    47 k Ω

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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公司资质

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AS
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DUNS
优势产品

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