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Toshiba Semiconductor and Storage RN1303(TE85L,F)

Name: RN1303(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN1303(TE85L,F)
Availability: InStock
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对比

型号

RN1303(TE85L,F)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1303(TE85L,F)

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R

起订量

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RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R

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RN1303(TE85L,F)详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN1303(TE85L,F)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

11 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-70, SOT-323
引脚数

3
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

1
hFEMin

70
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2014
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最大功率耗散

100mW
极性

NPN
元素配置

Single
功率耗散

100mW
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压

50V
频率转换

250MHz
电阻基(R1)

22 k Ω
连续集电极电流

100mA
电阻-发射极基极(R2)

22 k Ω
辐射硬化

无
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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RN1303(TE85L,F)拓展信息

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