Toshiba Semiconductor and Storage RN1402S,LF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

59

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

基本部件号

RN140*

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

NPN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率耗散

200mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

10 k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

10 k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准