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1

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10

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500

￥1.323622
1000

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Toshiba Semiconductor and Storage RN1902,LF(CT

Name: RN1902,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN1902,LF(CT
Price: 1.58 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN1902,LF(CT

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1902,LF(CT

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

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RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

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Toshiba Semiconductor and Storage RN1902,LF(CT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
质量

6.010099mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
hFEMin

50
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2014
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

200mW
极性

NPN
晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
最大击穿电压

50V
频率转换

250MHz
发射极基极电压 (VEBO)

10V
电阻基(R1)

10k Ω
连续集电极电流

100mA
电阻-发射极基极(R2)

10k Ω
RoHS状态

符合RoHS标准

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技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage RN1902,LF(CT.

数据表 :
RN1901-06

RN1902,LF(CT拓展信息

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