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价格梯度

内地含税价

1

￥1.274666
10

￥1.202511
100

￥1.134445
500

￥1.070234
1000

￥1.009655

Toshiba Semiconductor and Storage RN2116,LF(CT

Name: RN2116,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN2116,LF(CT
Price: 1.27 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN2116,LF(CT

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN2116,LF(CT

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SC-75, SOT-416

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

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--最小包装量--

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RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

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RN2116,LF(CT详情

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型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN2116,LF(CT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-75, SOT-416
供应商器件包装

SSM
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
hFEMin

50
包装

Cut Tape (CT)
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

100mW
极性

PNP
功率 - 最大

100mW
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

-50V
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
频率转换

200MHz
发射极基极电压 (VEBO)

-7V
电阻基(R1)

4.7 kOhms
连续集电极电流

-100mA
电阻-发射极基极(R2)

10 kOhms
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage RN2116,LF(CT.

数据表 :
RN2114-18 ~

RN2116,LF(CT拓展信息

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