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1

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10

￥1.034451
100

￥0.975897
500

￥0.920658
1000

￥0.868545

Toshiba Semiconductor and Storage RN2306,LF

Name: RN2306,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN2306,LF
Price: 1.1 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN2306,LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN2306,LF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R

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RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R

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RN2306,LF详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN2306,LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

16 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SC-70, SOT-323
引脚数

3
供应商器件包装

USM
质量

28.009329mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
hFEMin

80
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2014
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

100mW
极性

PNP
元素配置

Single
功率 - 最大

100mW
晶体管类型

PNP - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

300mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
最大击穿电压

50V
频率转换

200MHz
集电极基极电压(VCBO)

-50V
发射极基极电压 (VEBO)

-5V
电阻基(R1)

4.7 kOhms
连续集电极电流

-100mA
电阻-发射极基极(R2)

47 kOhms
高度

900μm
长度

2mm
宽度

1.25mm
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

RN2306,LF拓展信息

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