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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 RN2402S,LF(D
RN2402S,LF(D
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Toshiba Semiconductor and Storage RN2402S,LF(D

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型号

RN2402S,LF(D

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN2402S,LF(D

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

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RN2402S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

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RN2402S,LF(D详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage RN2402S,LF(D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    50 @ 10mA 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 250μA, 5mA

  • 转换频率

    200MHz

  • 频率转换

    200MHz

  • 电阻基(R1)

    10 k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10 k Ω

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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