Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D(STA4,Q,M)
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TK13A45D(STA4,Q,M)
2541-TK13A45D(STA4,Q,M)
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS
1最小包装量--
TK13A45D(STA4,Q,M)详情
Toshiba Semiconductor and Storage TK13A45D(STA4,Q,M)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220SIS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
45W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
π-MOSVII
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
460mOhm @ 6.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1350pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
22ns
漏源电压 (Vdss)
450V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
13A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
1.35nF
最大rds
460 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TK13A45D(STA4,Q,M)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
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