Toshiba Semiconductor and Storage TK20E60W,S1VX

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

165W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

系列

DTMOSIV

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

通道数量

1

元素配置

Single

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

155m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680pF @ 300V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

48nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准