STMicroelectronics STF33N60M2
- 收藏
- 对比
STF33N60M2
2381-STF33N60M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
--最小包装量--
STF33N60M2详情
STMicroelectronics STF33N60M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
329.988449mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
35W Tc
Turn Off Delay Time
109 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II Plus
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STF33N
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
125m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1781pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45.5nC @ 10V
上升时间
9.6ns
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
26A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STF33N60M2拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics









哦! 它是空的。