Toshiba Semiconductor and Storage TK60D08J1(Q)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

67

供应商器件包装

TO-220(W)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

140W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.8mOhm @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5450pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

86nC @ 10V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

75V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

60A

阈值电压

1.1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

75V

输入电容

5.45nF

漏源电阻

78mOhm

最大rds

7.8 mΩ

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准